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基于ANSYS的概率设计技术对压电双晶片位移型传感器的位移特性和灵敏度特性进行了有限元分析．求得了压电双晶片位移传感器灵敏度与双晶片的材料参数和几何尺寸的关系．分析结果对于压电双晶片传感器的设计和优化具有重要的工程意义．
基于PDT的压电双晶片传感特性分析
【摘 要】
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基于ANSYS的概率设计技术对压电双晶片位移型传感器的位移特性和灵敏度特性进行了有限元分析．求得了压电双晶片位移传感器灵敏度与双晶片的材料参数和几何尺寸的关系．分析结果
【机 构】
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湖南理工学院机械与电气工程系
【出 处】
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湖南理工学院学报(自然科学版)
【发表日期】
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2009年1期
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