【摘 要】
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采用AlAs氧化物限制工艺实验制备了衬底出光的高功率大出光窗口(直径为300 μm)InGaAs/GaAs量子阱垂直腔面发射半导体激光器,实现了器件室温准连续工作(脉冲宽度为50 μs,重
【机 构】
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中国科学院激发态开放重点实验室,中国科学院激发态开放重点实验室,吉林大学,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
【基金项目】
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中国科学院知识创新工程项目，国家自然科学基金
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采用AlAs氧化物限制工艺实验制备了衬底出光的高功率大出光窗口(直径为300 μm)InGaAs/GaAs量子阱垂直腔面发射半导体激光器,实现了器件室温准连续工作(脉冲宽度为50 μs,重复频率为1000 Hz),并对器件的伏安特性、光输出特性、发射光谱,以及器件的远场发射特性等进行了实验测试.器件阈值电流为 460 mA,器件的最大光输出功率为 100 mW,发射波长为 978.6 nm,光谱半功率全宽度为1.0 nm,远场发散角小于10°,垂直方向的发散角θ⊥为8°,水平方向的发散
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