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介绍了研制垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)核心技术之一,氧化物限制工艺,讨论了温度与氧化速率之间的关系.
VCSEL氧化物限制工艺研究
【摘 要】
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介绍了研制垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)核心技术之一,氧化物限制工艺,讨论了温度与氧化速率之间的关系.
【机 构】
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长春理工大学
【出 处】
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长春理工大学学报
【发表日期】
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2004年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金，武器装备预研基金
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