【摘 要】
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黑硅PERC多晶太阳电池采用背抛光工艺,其背面刻蚀深度在4.0±0.2μm,在800~1050 nm的光学波长范围内,其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10%左右;采用氧化
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黑硅PERC多晶太阳电池采用背抛光工艺,其背面刻蚀深度在4.0±0.2μm,在800~1050 nm的光学波长范围内,其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10%左右;采用氧化铝及氮化硅钝化制备的黑硅PERC多晶太阳电池,WT-2000测得其少子寿命达到33μs;开路电压提升了15.2 mV,短路电流提高了0.372 A,效率达到20.06%。
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