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用发散法合成以四碳硅烷为核心，周边含108个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的三代树状碳硅烷(D3)液晶，并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外光谱、紫外光谱、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和X射线衍射法(WAXD)进行表征，D3为向列相液晶，与M3相同，三代(D3)、二代(D2)和一代(D1)树状物的相态由介晶基元的相态决定，D3的液晶态相行为是K79N1361132N，D3的熔点比M3的低19℃，D3的清亮点比M3的增加16℃，D3液晶态温区比M3宽35℃。