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光通信研究2020年第46卷第2期
【出 处】
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光通信研究
【发表日期】
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2020年46期
【基金项目】
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其他文献
利用电子束蒸发技术在P型硅衬底上沉积了CeO2/Tb4O7超晶格样品, 将样品置于弱还原气氛中高温退火后, 观察到薄膜样品在488, 544, 588以及623 nm左右出现Tb3 的四个典型发光峰。 结合激发光谱、 吸收光谱以及XRD分析表明, CeO2薄膜在高温下失氧, 发生Ce4 →Ce3 转变, Ce3 吸收紫外光后, Ce3 与Tb3 发生能量传递, 产生发光。 通过改变Tb4O7薄膜厚度, 研究了Tb4O7层厚对超晶格发光的影响, 结果显示在Tb4O7层厚为0.5 nm时, 发光强度最大； T
为了实现材料内部微小缺陷的非接触无损检测,解决激光超声检测内部缺陷时衍射回波信号弱、透射体波检测无法获得缺陷深度信息等问题,提出了一种激光超声反射横波双阴影检测方法。该方法结合超声透射法和反射法的优点,依据缺陷对反射横波的两次衰减作用,利用时间飞行法对样品进行扫描检测,通过波形互相关算法计算波形时延,精确测量了激光激发点与探测点距离和横波双阴影间距,结合样品厚度实现了对直径为0.8 mm内部缺陷的检出和深度定位。与X射线数字射线照相、传统超声换能器检测的结果进行对比后可知,激光超声方法能够实现材料内部微小
实验采用60 ns、1064 nm单脉冲激光辐照前照式有源型可见光CMOS探测器，随着损伤程度的加深，分别观察到点损伤、半边黑线损伤以及十字交叉黑线损伤等硬损伤现象。各损伤现象出现时对应的探测器表面激光能量密度分别为0.38、0.64、1.0 J/cm2。进一步提高激光能量密度，观察到十字交叉黑线变粗，覆盖面积扩大。即使激光能量密度达到2.8 J/cm2，此时黑线已经覆盖绝大部分探测器像元，但探测器仍然没有完全失效，未损伤区域还可以成像。基于CMOS样品的结构和工作原理，对损伤机理进行了理论分析，认为点损
利用计算全息，提出了一种新的彩色全息图制作技术。给出了设计原理，实现了真彩色计算全息图的光学再现，对实验结果和相关问题进行了讨论。基于Matlab实现了这一种新的制作真彩色计算全息图的技术。得以下结果： 利用傅里叶变换平移不变性，可以解决三基色再现像的复位问题；利用真彩色计算全息图进行滤波再现，可提高再现像的质量； 利用傅里叶变换(FT)平移不变性，平行拼接多幅计算全息图，可有效地提高再现像强度；实现全息图简单快捷，成本低。并且还可以方便地调节各种参数，提高全息图的品质。
实验研究了晶相对下转换的影响。Tb3 -Er3 耦合对将一个紫外光子(Tb3 的7F6→5L1)294 nm 剪裁成800 nm (Er3 的4I9/2→4I15/2) 和467 nm (Tb3 的5D4→7F6) 两个都能被GaAs 太阳能电池吸收的低能光子。采用水热法制备了NaYF4六角相微晶和立方相纳米晶粒子, 六角相由于具有热力学稳定性和有序的排列结构而更有利于量子剪裁过程的发生, 相反在立方相结构中没有发现量子剪裁现象。分别采用294 nm 和355 nm波长的光对六角相NaYF4进行
本文通过共沉淀法, 以草酸为沉淀剂, Ca2＋、Y3＋共掺杂 CeO2来降低其高温下红外发射率, 并且 Ce0.8Y0.15Ca0.05O2-δ粉体发射率最低, 最小值为 0.271。再用两种不同沉淀剂 KOH及 NH4HCO3分别合成 Ce0.8Y0.15Ca0.05O2-δ粉体, 所得结果可知, KOH为沉淀剂所合成的 Ce0.8Y0.15Ca0.05O2-δ粉体发射率最低, 最低值为 0.223。通过γ射线辐照处理 Ce0.8Y0.15Ca0.05O2-δ粉体, 可使其最低发射率由 0.271降至