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在射频集成电路中，Inp衬底的高电阻率导致了低衬底损耗以及器件和电路性能的提高。该文提出了Inp衬底上MIM电容和电阻的简单而精确的等效电路模型。测量结果与等效电路的仿真结果拟合得非常好，从而证明该文提出的模型足以准确地描述Inp衬底上MIM电容和电阻的电磁场特性。另外，Inp和GaAs同属于Ⅲ-Ⅳ族化合物。它们具有相似的性质，因此，该文提出的模型同样适用于GaAs衬底上的电容和电阻。