【摘 要】
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利用扫描电子显微镜（Scannirng Electron Microscopy,SEM）、台阶仪和X射线衍射仪（X-ray Diffraction,XRD）研究了线切割InSb晶片和内圆切割晶片的表面损伤程度,定量分析了损伤层的
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利用扫描电子显微镜（Scannirng Electron Microscopy,SEM）、台阶仪和X射线衍射仪（X-ray Diffraction,XRD）研究了线切割InSb晶片和内圆切割晶片的表面损伤程度,定量分析了损伤层的厚度,并探讨了影响InSb切割晶片表面损伤的因素。结果表明,线切割InSb晶片的表面较平整,粗糙度小,表面损伤小,损伤层的厚度约为14μm,小于常规内圆切割晶片。研究结果对大尺寸、大批量InSb晶片的生产及后续加工具有一定的参考价值。
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