【摘 要】
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采用二次烧结法制备了Ca-B-Si(CBS)玻璃掺杂的SrTiO3基晶界层型陶瓷电容器材料。研究了CBS玻璃作为掺杂剂对SrTiO3基半导体陶瓷电容器微观结构、介电性能及温度稳定性的影响
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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采用二次烧结法制备了Ca-B-Si(CBS)玻璃掺杂的SrTiO3基晶界层型陶瓷电容器材料。研究了CBS玻璃作为掺杂剂对SrTiO3基半导体陶瓷电容器微观结构、介电性能及温度稳定性的影响。结果表明,适量的CBS掺杂能明显改善材料的电容温度稳定性,提高相对介电常数(εr),降低介电损耗(tanδ)。当CBS质量分数为0.4%时,可获得最佳的电学性能:εr为19418,tanδ为0.007,在-55~150℃电容温度变化率(ΔC·C-1)小于10%,绝缘电阻率大于2.1×10^11Ω
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