【摘 要】
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Mg2Si材料作为一种新型环境友好半导体材料,其薄膜制备方法及其光学性质的研究对其应用研发起到基础性作用.采用电子束蒸发方法在Si（111）衬底上沉积Mg膜,在氩气环境下进行热处
【机 构】
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安顺学院航空电子电气与信息网络贵州省高校工程技术研究中心,贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,中国科学院北京分院科技合作处,格林威治大学计算力学与可靠性研究中心
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Mg2Si材料作为一种新型环境友好半导体材料,其薄膜制备方法及其光学性质的研究对其应用研发起到基础性作用.采用电子束蒸发方法在Si（111）衬底上沉积Mg膜,在氩气环境下进行热处理以制备Mg2Si半导体薄膜.采用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、分光光度计对制备的Mg2Si薄膜进行表征.在氩气环境、温度500℃、压强200 Pa下,研究热处理时间（时间3-7 h）对Mg2Si薄膜形成的影响.XRD和SEM结果表明:通过电子束蒸发沉积方法在500℃、热处理时间为37 h能够得到Mg2Si薄膜.热处理温度是500时,最佳热处理时间是4 h,得到致密度好的薄膜.通过对薄膜的红外透射谱测试,得到了Mg2Si薄膜的光学带隙,其间接光学带隙值为0.9433 eV,直接光学带隙值为1.1580 eV.实验数据为Mg2Si薄膜的研发在制备工艺和光学性质方面提供参考.
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