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本文给出了几种采用LOCOS隔离技术,未经加固的商品化1.25μm体CMOS工艺的辐照响应结果。在所有的研究中,辐照诱发失效都是由于场氧化效应而造成的,沟道区的辐照诱发变化⊿V_T在失效剂量下通常很小。本文给出并讨论了场氧化层的漏电流与时间的依赖关系。
MOS器件中辐照诱生漏电流的退火与时间的关系
【摘 要】
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本文给出了几种采用LOCOS隔离技术,未经加固的商品化1.25μm体CMOS工艺的辐照响应结果。在所有的研究中,辐照诱发失效都是由于场氧化效应而造成的,沟道区的辐照诱发变化⊿V_T
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1990年6期
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