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Cr：Mg2SiO4晶体作为一种新的激光基质，以其独特的性能，引起了广泛的关注。在该晶体中，铬离子的分凝系数很小，因此在用提拉法生长的Cr：Mg2SiO4晶体中，铬离子存在轴向浓度梯度，在凸界面生长的晶体中，晶体的生长界面上出现小面，由于小面和非小面区域的反常分凝等原因，造成晶体中铬离子浓度的经向分布不均，在小面与非小面的交界处存在着较大的浓度梯度，造成晶体中宏观缺陷的出现。Cr：Mg2SiO4晶体中，铬离子主要表现为两种形式：Cr^3+和Cr^4+。不同的生长气氛决定着晶体中两种离子的比例。在晶体中，C