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用LPE在预沉积Al的GaAs（100）上溶液生长InGaAlP

来源 :电子材料快报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wtxsing

【作 者】

：

晓晔 

【出 处】

：

电子材料快报

【发表日期】

：

1996年8期

【关键词】

：

半导体 LPE生长 GAAS INGAALP 铅 

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