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研究了Si衬底上SiGeC合金薄膜的生长.以C2H4为C源、采用快速加热超低压化学气相淀积(RTP/VLP-CVD)的非平衡生长技术,在Si(100)衬底上生长出具有一定代位式C含量的硅基SiGeC合金.实验表明:较低的生长温度和较高的SiH4/C2H4流量比有利于代位式C原子的形成和材料晶体质量的提高.