论文部分内容阅读
利用等离子体化学气相沉积技术制备纳米硅(nc-Si∶H)薄膜材料,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、Raman光谱仪对成膜的状态进行了表征.用红外吸收光谱仪对不同工艺薄膜的结构进行了分析,研究了偏压对薄膜结构的影响,为纳米硅薄膜在光电子方面的应用提供可靠的依据.
nc-Si∶H薄膜的制备及特性表征
【摘 要】
：
利用等离子体化学气相沉积技术制备纳米硅(nc-Si∶H)薄膜材料,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、Raman光谱仪对成膜的状态进行了表征.用红外吸收光谱仪对不同工艺薄
【机 构】
：
西北大学
【出 处】
：
西北大学学报(自然科学版)
【发表日期】
：
2002年5期
其他文献
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
有关韩国传统音乐的旋法和调式主要通过分析平调和界面调来进行,韩国学者们对羽调的概念和定义并不清晰,只是把其归于和平调相关的一种旋法。通过考察羽调和平调的理论概念和