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研究了在空穴传输层2T-NATA中掺杂不同浓度的P型氧化剂F4-TCNQ制备高性能的绿色有机电致发光器件（OLED）．F4-TCNQ在空穴传输层2T-NATA中的掺杂浓度为8％（质量百分比）时（驱动电压为22v），其亮度达到4256cd／m^2，同时与未掺杂的器件相比，其最大发光效率由2．9cd／A增大到3．4cd／A．分析结果表明，OLED性能的改善主要归因于：首先，掺杂F4-TCNQ使得器件做到了欧姆接触，使消耗在ITO／空穴传输层界面的电压达到最小；其次，掺杂F4-TCNQ提高了载流子形成激子的几率