Co/Ti/Si三元固相反应外延生长CoSi2薄膜

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:weiyuan2009
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研究采用Co/Ti/Si三元固相反应的方法生长外延CoSi2薄膜。通过选择适当的热处理条件,采用步退火,在Si(100)和Si(111)衬底上均成功获得外延CoSi2薄膜。实验用XRD.TEM、RBS/channeling等测试技术分析CoSi2薄膜外延特性,得到的CoSi2/Si薄膜的RBS/channeling最低产额Xmin达到10-14%,实验时CoSi2/Si(111)样品,分别沿Si衬
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