基于碳化硅衬底的宽禁带半导体外延

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：swqsswqs19760308

【摘要】

：

宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳化硅(SiC)材料具有热导率高、化学稳定性好、耐高温等优点,在SiC衬底上外延宽禁带半导体材料,对充分发挥宽禁带半导体材料的优势,并提升宽禁带半导体电子器件的性能具有重要意义。得益于SiC衬底质量持续提升及成本不断降低,基于SiC衬底的宽禁带半导体电子市场占比呈现逐年增加的态势。在SiC衬底上外延生长高质量的宽禁带半导体材料是提高宽禁带半导体电子器件性能及可靠性的关键瓶颈。本文综述了近年

【作者】

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开翠红王蓉杨德仁皮孝东

【机构】

：

浙江大学材料科学与工程学院,浙江大学杭州国际科创中心

【出处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2021年9期

【关键词】

：

SIC衬底宽禁带半导体异质外延同质外延晶格失配 GAN Ga_(2)O_(3) 缺陷调控

【基金项目】

：

国家重点研发计划(2017YFA0205704,2018YFB2200101),国家自然科学基金重大研究计划项目(91964107),国家自然科学基金面上项目(61774133)。

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