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通过在UTB结构中利用矩形势垒近似求解沟道的薛定谔方程，应用费米统计建立了UTBMOSFET阈值区载流子量子化的一个解析模型。并利用自恰求解薛定谔方程和泊松方程的结果对模型进行了验证，分析了UTB结构中阈值电压随硅膜厚度变化的关系。
UTB结构量子化效应解析模型
【摘 要】
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通过在UTB结构中利用矩形势垒近似求解沟道的薛定谔方程，应用费米统计建立了UTBMOSFET阈值区载流子量子化的一个解析模型。并利用自恰求解薛定谔方程和泊松方程的结果对模型进
【机 构】
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北京大学微电子学研究所
【出 处】
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北京大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2004年3期
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