【摘 要】
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普遍认为,Bi2O3是ZnO电阻片形成晶界势垒及非线性伏安特性的基础,然而Bi元素对构成势垒的缺陷结构的作用机制仍不清楚.基于一种优化的介电谱,笔者研究了Bi2O3含量对现代直流Z
【机 构】
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中国电力科学研究院有限公司,北京100192
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普遍认为,Bi2O3是ZnO电阻片形成晶界势垒及非线性伏安特性的基础,然而Bi元素对构成势垒的缺陷结构的作用机制仍不清楚.基于一种优化的介电谱,笔者研究了Bi2O3含量对现代直流ZnO电阻片本征点缺陷锌填隙和氧空位、非本征缺陷晶间相结构和界面态的作用机制.实验结果表明,Bi掺杂使得晶界势垒结构发育完善,所以掺入Bi元素后试样才具有优异的非线性特性.Bi2O3促进晶界氧传输和吸附,进而有效提升界面态密度,调控本征点缺陷浓度.特别地,Bi2O3掺杂量达到1.2 mol％时,富Bi相形成具有更高氧离子传导率的δ-Bi2O3,对本征点缺陷起抑制作用.本研究为进一步开发高性能电阻片提供理论基础及数据依据.
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