【摘 要】
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选用四种不同的密度泛函理论方法(B3LYP,B3P86,BLYP,BP86),在全电子的双ζ加极化加弥散函数基组(DZP++)下,对SinH/SinH-(n=3～8)体系进行研究,获得它们的基态结构和电子亲合能.
【机 构】
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北京理工大学理学院,北京理工大学理学院
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选用四种不同的密度泛函理论方法(B3LYP,B3P86,BLYP,BP86),在全电子的双ζ加极化加弥散函数基组(DZP++)下,对SinH/SinH-(n=3～8)体系进行研究,获得它们的基态结构和电子亲合能.预测Si3H/Si3H-,Si4H/Si4H-,Si5H/Si5H-,Si6H/Si6H-,Si7H/Si7H-和Si8H/Si8H-的基态结构分别为C2v(2B2)/C2v(1A1)氢桥结构,Cs(2A′)/Cs(1A′),C2v(2B2)/C2v(1A1),C2v(2B2或2B1)/C4v(1
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