【摘 要】
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介绍了基于正向电压法原理自行研制的大功率LED结温测试系统,结温定量测量精度可达±0.5℃。利用该系统对不同芯片结构与不同封装工艺的大功率LED热阻进行了测量比较,并对不
【机 构】
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清华大学深圳研究生院半导体照明实验室,清华大学电子工程系
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介绍了基于正向电压法原理自行研制的大功率LED结温测试系统,结温定量测量精度可达±0.5℃。利用该系统对不同芯片结构与不同封装工艺的大功率LED热阻进行了测量比较,并对不同结温的大功率LED发光特性进行了研究。结果表明,不同结构芯片温度-电压系数K明显不同;采用热导率更高的粘结材料和共晶焊工艺固定LED芯片,会明显降低封装层次引入的热阻。结温对光辐射功率有直接影响,若保持结温恒定,光辐射功率随电流增大线性增加;若保持外部散热条件不变,热阻大的芯片内部热量积累较快,导致结温上升速度更快,光效随电流增加而下降的趋势也更为严重。
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