【摘 要】
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基于0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种可切换的双频段CMOS低噪声放大器,其输入输出均匹配到50Ω。加入封装、ESD电路和PAD模型,采用Cadence Spectre RF进行仿真。结果显示,在1
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,杭州中科微电子有限公司,
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基于0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种可切换的双频段CMOS低噪声放大器,其输入输出均匹配到50Ω。加入封装、ESD电路和PAD模型,采用Cadence Spectre RF进行仿真。结果显示,在1.8 V工作电压下,1.575 GHz输入时,LNA的噪声系数、功率增益和偏置电流分别为0.9 dB、18.2 dB和5.7 mA;1.2 GHz输入时,LNA的噪声系数、功率增益和偏置电流分别为0.8dB、16.8 dB和5.3 mA。
Based on the 0.18μm RF CMOS process, a switchable dual-band CMOS LNA was designed with 50Ω input and output matched. Add packages, ESD circuits and PAD models using Cadence Specter RF for simulation. The results show that the noise figure, power gain and bias current of the LNA are 0.9 dB, 18.2 dB and 5.7 mA, respectively, for a 1.575 GHz input at a 1.8 V operating voltage. The noise figure, power gain, Bias currents are 0.8dB, 16.8dB and 5.3mA respectively.
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