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在自行设计研制的先进的电子回旋共振（ECR）等离子体增强化学气相沉（PECVD）装置上，采用ECR-PECVD可控活化低温外延技术，以SiH4＋H2为气源，硅和普通玻璃为衬底，低温（小于等于550℃）制备多晶硅（poly-Si）薄膜。利用反射高能电子衍射、透射电子显微镜和原子力显微镜研究了SiH4流量、H2流量和衬底温度等工艺参数的改变对薄膜晶化的影响。通过分析薄膜结构和形貌，得出适宜低温生长多晶硅薄膜的工艺参数。