【摘 要】
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宜普电源转换公司(EPC)宣布推出30V的增强型单片式半桥氮化镓晶体管(EPC2111)。透过集成两个eGaN TM功率场效应晶体管形成单个元件,可以去除互连电感及节省印刷电路板上元件
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宜普电源转换公司(EPC)宣布推出30V的增强型单片式半桥氮化镓晶体管(EPC2111)。透过集成两个eGaN TM功率场效应晶体管形成单个元件,可以去除互连电感及节省印刷电路板上元件之间的空隙。这样可以提高效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度,而且同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2111是高频12V转至负载点DC/DC转换的理想元件。
EPC Power Conversion Corporation (EPC) announced the introduction of a 30V enhancement monolithic half-bridge GaN transistor (EPC2111). By integrating two eGaN TM power FETs into a single device, the interconnect inductance can be removed and the space between the components on the printed circuit board can be saved. This increases efficiency (especially at higher frequencies) and increases power density, while reducing the cost of end-user power conversion system assembly. The EPC2111 is the ideal component for high frequency 12V to point-of-load DC / DC conversion.
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