考虑量子化效应的MOSFET栅电容减小模型

来源 :中国科学技术大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fuyuanluyi13

【摘要】

：

基于改进后的三角势阱近似和n型多晶硅的耗尽以及MOSFET的强反型的情况,建立了一个考虑量子效应的栅电容模型.分别对反型层电容和耗尽层电容进行定义、分析和计算,给出了MOSF

【作者】

：

代月花陈军宁柯导明吴秀龙徐超

【机构】

：

安徽大学电子科学与技术学院

【出处】

：

中国科学技术大学学报

【发表日期】

：

2006年3期

【关键词】

：

量子效应栅电容反型层电容耗尽层电容表面电场金属-氧化物-半导体场效应管 quantum effects gate capacitance invers

【基金项目】

：

国家自然科学基金（60276042）和安徽省自然科学基金（01044104）资助.

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基于改进后的三角势阱近似和n型多晶硅的耗尽以及MOSFET的强反型的情况,建立了一个考虑量子效应的栅电容模型.分别对反型层电容和耗尽层电容进行定义、分析和计算,给出了MOSFETs栅电容解析表达式,并与数值模拟结果进行了比较.结果表明该模型是基于物理的解析模型,具有相当精度,便于电路模拟与设计.

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