VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅰ)

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用交流阻抗法铅、铅砷、铅锑和铅铋合物在4.5mol·L^-1H2SO4溶液(20℃)中,以0.9V(vs.Hg/Hg2SO4)极化2h而形成的阳极膜的半导体性质。根据Mott-Schottky图,此种膜为n型半导体。Pb,Pb-lat%As,Pb-lat%Sb和Sb-lat%Bi上膜的平带电位分别为-0.95,-1.1、-1.0,-1.1V(vs.Hg/Hg2SO4);相应的施主密度分别为0.82
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