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结合制作光子晶体结构的具体要求，研究了电子束曝光得到的电子束胶上（GaAs衬底）随实验条件变化的图形。结果表明，胶的厚度、曝光剂量、显影／定影时间等参数对图形的质量有重要影响．通过合理优化这些参数，我们得到了高质量的掩膜图形．
高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法
【摘 要】
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结合制作光子晶体结构的具体要求，研究了电子束曝光得到的电子束胶上（GaAs衬底）随实验条件变化的图形。结果表明，胶的厚度、曝光剂量、显影／定影时间等参数对图形的质量有重要影响
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年9期
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