硅晶圆表面氧化硅薄膜的化学沉积及温度对反应动力学的影响研究

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为推动开发硅基太阳能电池单面制绒工艺,本研究利用化学湿法在Si晶圆表面构建了均一的SiO2膜(记为SiO2@Si),动力学研究表明膜生长速率从(1.1±0.01) nm·min^-1(30℃)逐渐增至(4.9±0.41) nm·min^-1(70℃),这与该沉积反应的吸热特性相符。
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