多孔硅激光(英文)

来源 :贵州科学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wangxq198

【摘要】

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我们用波长为1064nm的纳秒脉冲激光在硅表面打出小孔结构,然后再做高温退火处理形成了硅的纳米氧化低维结构.在514nm激光泵浦下,发现该结构在700nm和750nm处有很强的受激辐射

【作者】

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黄伟其张荣涛王海旭金锋

【机构】

：

贵州光电子技术与应用重点实验室贵州大学

【出处】

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贵州科学

【发表日期】

：

2008年4期

【关键词】

：

光致荧光多孔硅陷阱态 photoluminescence porous silicon trap states

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我们用波长为1064nm的纳秒脉冲激光在硅表面打出小孔结构,然后再做高温退火处理形成了硅的纳米氧化低维结构.在514nm激光泵浦下,发现该结构在700nm和750nm处有很强的受激辐射发光(PL).实验中发现:该PL发光有明显的阈值表现和激光增强效应,证明该PL发光确实是光致受激发射.计算給出氧化界面态模型来解释该光致受激发光机理,其中Si=O和Si-O-S的键合可以产生氧化陷阱态,关键在于该氧化陷阱态与价带顶空穴态之间能够形成粒子数反转.为硅基上激光器件的光电子集成研发开辟了新的途经.

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