,Electrical properties of MOCVD-grown GaN on Si (111) substrates with low-temperature AlN interlayer

来源 :中国物理B（英文版） | 被引量 : 0次 | 上传用户：yidatian2009

【作者】

：

Ni Yi-Qiang He Zhi-Yuan Zhong Jian Yao Yao Yang Fan Xiang Peng Zhang Bai-Jun

【机构】

：

School of Physics and Engineering, State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies

【出处】

：

中国物理B（英文版）

【发表日期】

：

2013年8期

【关键词】

：

metal-organic chemical-vapour deposition GaN-on-Si electrical behavior low-tempe

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