【摘 要】
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用ＸｅＣｌ准分子激光器对ａ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜进行了低能量密度下的辐照处理，测量了激光辐照区内薄膜的电导率随能量密度与脉冲数的变化．研究表明，能量密度在７５ｍＪ／ｃｍ２附近的激光辐照可导致膜的电导率大幅度升
【机 构】
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华中理工大学电子科学与技术系,华中理工大学激光技术与工程研究院
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用ＸｅＣｌ准分子激光器对ａ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜进行了低能量密度下的辐照处理，测量了激光辐照区内薄膜的电导率随能量密度与脉冲数的变化．研究表明，能量密度在７５ｍＪ／ｃｍ２附近的激光辐照可导致膜的电导率大幅度升高，这种电导率异常是膜表层形成了ｎｍＳｉ晶粒分散于ａ－Ｓｉ∶Ｈ基底中的混合相的反映．
The a-Si: H thin films were irradiated by XeCl excimer laser at low energy density, and the changes of the electrical conductivity with the energy density and number of pulses in the laser irradiated region were measured. The results show that laser irradiation with energy density of 75mJ / cm2 leads to a substantial increase of the conductivity of the film, which is caused by the formation of a mixed phase in which nmSi grains are dispersed in the a-Si: H substrate The reflection.
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