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期刊论文
变频器逆变模块损坏原因分析
变频器逆变模块损坏原因分析
来源 :自动化应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huandakedi222
【摘 要】
:
变频器逆变输出模块IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)的优点于一体,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速
【作 者】
:
王功胜
【机 构】
:
佳惠机电设备维修中心
【出 处】
:
自动化应用
【发表日期】
:
2010年2期
【关键词】
:
逆变模块
变频器
损坏原因
金属氧化物半导体场效应管
功率MOSFET
功率晶体管
IGBT
输出模块
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变频器逆变输出模块IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)的优点于一体,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高等优点。但逆变模块非常脆弱,一不小心就会过压、过流损坏。
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