新型垂直腔面发射半导体激光器阵列

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【摘要】

：

设计出四次质子注入工艺制备垂直腔面发射激光器（VCSEL）阵列的方法，实现了对阵列中单元器件间的隔离以及对单元器件注入电流限制的分别作用。一方面通过对VCSEL外延片上分布布拉

【作者】

：

刘文莉钟景昌晏长岭

【机构】

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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2006年4期

【关键词】

：

垂直腔面发射激光器激光器阵列器件质子注入 VCSEL laser array proton implantation.

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设计出四次质子注入工艺制备垂直腔面发射激光器（VCSEL）阵列的方法，实现了对阵列中单元器件间的隔离以及对单元器件注入电流限制的分别作用。一方面通过对VCSEL外延片上分布布拉格反射镜（DBR）两次较浅的质子注入形成高电阻区域实现对阵列中单元器件间的隔离，另一方面通过再次的两次较深度的可以达到有源区上表面的质子注入形成高电阻区域实现对单元器件注入电流的限制。由瞬态热传导方程对阵列中单元器件间的热相互作用进行了理论分析。采用四次质子注入工艺实现了2×2、3×3简单的二维GaAs／AlGa

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