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本发明涉及一种高铊粗镉的真空冶炼方法，采用含量为0．1％～5％（重量）铊的粗镉为原料，熔融状态的原料进入真空炉中，控制真空度为1—10Pa，温度为380～460℃，保持真空度和温度不变，冶炼时间30-90min，使镉在真空低压条件下挥发鸵不挥发，可以使镉中铊的含量降到0．0015％～0．002％（重量），得到纯度大于99．99％的镉，达到精镉的要求。