【摘 要】
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采用等离子体增强化学气相沉积法制备了不同PH3/SiH4气流量比条件下的N型a-Si:H系列薄膜,研究了PH3/SiH4气流量比对N型a-Si:H薄膜微结构和电学性能的影响;同时,对最优PH3/SiH
【机 构】
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西安理工大学材料科学与工程学院,西安黄河光伏科技股份有限公司,
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采用等离子体增强化学气相沉积法制备了不同PH3/SiH4气流量比条件下的N型a-Si:H系列薄膜,研究了PH3/SiH4气流量比对N型a-Si:H薄膜微结构和电学性能的影响;同时,对最优PH3/SiH4气流量比条件下的N型a-Si:H薄膜进行了真空退火处理,以研究薄膜晶体结构的改变对其性能的影响。结果表明:随着PH3/SiH4气流量比的增加,N型a-Si:H薄膜的非晶结构没有实质改变,但其电学性能得到明显改善;在最佳的PH3/SiH4气流量比为1.5%时制备的薄膜,经真空退火处理后,N型a-Si:H薄膜的有序度明显提高,电阻率比退火前降低3个数量级。退火处理对薄膜的晶体结构影响较大,从而对薄膜电学性能的改善更为显著。
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