【摘 要】
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在(111)Si中以 350 keV,1×10~(15)和 5×10~(15)/cm~2注入Pb并进行连续 CO_2激光退火.用背散射RBS和透射电子显微镜TEM研究退火前后的杂质分布和辐射损伤.实验表明,上述退火
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院北京电子显微镜实验室
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在(111)Si中以 350 keV,1×10~(15)和 5×10~(15)/cm~2注入Pb并进行连续 CO_2激光退火.用背散射RBS和透射电子显微镜TEM研究退火前后的杂质分布和辐射损伤.实验表明,上述退火处理能消除以剂量1×10~(15)/cm~2注入形成的损伤,而当剂量为5×10~(15)/cm~2时,在超过溶解度的高杂质浓度区,外延生长受到阻挡.再生长终止以后,表面形成多晶结构,杂质沿晶粒边界向外扩散.
Pb was implanted at 350 keV, 1 × 10 ~ (15) and 5 × 10 ~ (15) / cm ~ 2 in (111) Si and continuous CO2 laser annealing was performed. Back-scattering RBS and transmission electron microscopy The results show that the above annealing can eliminate the damage caused by the injection of 1 × 10 15 / cm 2, while when the dose is 5 × 10 15 / cm 2, Epitaxial growth is blocked in regions of high impurity concentration beyond solubility, and polycrystalline structures are formed on the surface after the growth is terminated. The impurities diffuse outward along the grain boundaries.
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