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基于栅跟踪电路实现了3．3V／5V混合电压工作的CMOS I／O缓冲电路。0．25μm标准CMOS工艺模型仿真结果表明，该缓冲电路中的PMOS管栅极电位和N阱偏置电位可快速跟踪PAD电压变化，有效避免信号变化时可能产生的泄漏电流和栅氧化层可靠性问题。
一种新的栅跟踪电路混合电压CMOS I／O缓冲器
【摘 要】
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基于栅跟踪电路实现了3．3V／5V混合电压工作的CMOS I／O缓冲电路。0．25μm标准CMOS工艺模型仿真结果表明，该缓冲电路中的PMOS管栅极电位和N阱偏置电位可快速跟踪PAD电压变化，有效避免
【机 构】
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东南大学集成电路学院
【出 处】
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济南职业学院学报
【发表日期】
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2007年2期
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