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在传统带隙基准的基础上，设计了一种分段曲率补偿的低温漂带隙基准。利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性，在低温和高温段同时对基准电压进行曲率补偿，采用UMC 0.25μm BCD工艺进行仿真。仿真结果表明，电源电压5 V时，静态功耗电流为7.11μA；电源电压2.5~5.5 V，基准电压变化148μV；温度在–40~＋145℃内，电路的温度系数为1.18×10–6/℃；低频时电源抑制比为–87 dB。