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本文详细叙述了减小双极超高速IC器件的横向尺寸和纵向尺寸的技术,着重在多晶硅基极接触、多晶硅发射极接触、开槽隔离方面作了具体介绍;对八十年代具有代表性的先进双极工艺,如PSA、SICOS、SST、SDK和深槽隔离技术作了详尽的叙述。最后,比较了采用这些工艺所制造的双极器件及电路的性能参数。
减小双极超高速IC尺寸的技术
【摘 要】
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本文详细叙述了减小双极超高速IC器件的横向尺寸和纵向尺寸的技术,着重在多晶硅基极接触、多晶硅发射极接触、开槽隔离方面作了具体介绍;对八十年代具有代表性的先进双极工艺
【机 构】
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机电部二十四所四川永川
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1991年1期
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