【摘 要】
:
为了避免相敏解调引入的1/f噪声,同时进一步提高集成度、降低功耗,实现高精度硅微陀螺仪的全数字输出,设计了一种硅微陀螺仪数模单片集成电路.首先,针对已有的∑-△模数转换器(ADC)交流量化方案,设计了一种基于数字滤波系统的信号链预处理电路;其次,研究了数字滤波系统和乘法解调方案在有限版图面积中低功耗的硬件电路的实现方法,在IC设计平台上完成了包括前端信号链预处理电路、乘法解调模块、实时温度测量模块及串行接口(SPI)通信模块的设计与验证,并采用TSMC 0.35 μm工艺进行了流片.实验结果表明,硅微陀螺
【机 构】
:
南京理工大学机械工程学院,南京 210094
论文部分内容阅读
为了避免相敏解调引入的1/f噪声,同时进一步提高集成度、降低功耗,实现高精度硅微陀螺仪的全数字输出,设计了一种硅微陀螺仪数模单片集成电路.首先,针对已有的∑-△模数转换器(ADC)交流量化方案,设计了一种基于数字滤波系统的信号链预处理电路;其次,研究了数字滤波系统和乘法解调方案在有限版图面积中低功耗的硬件电路的实现方法,在IC设计平台上完成了包括前端信号链预处理电路、乘法解调模块、实时温度测量模块及串行接口(SPI)通信模块的设计与验证,并采用TSMC 0.35 μm工艺进行了流片.实验结果表明,硅微陀螺仪输出零偏不稳定性为0.38°/h,角度随机游走为0.05°/h1/2,零偏稳定性为3.4°/h,数字部分功耗为15.8 mW.实现了高精度硅微陀螺仪的低功耗和低噪声的全数字正交解调输出,提高了硅微陀螺仪的集成度和实用性.
其他文献
介绍了一款基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的W波段GaN低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)的研制.该放大器采用5级共源放大结构,栅极和漏极双电源供电,第一级着重优化噪声,后4级着重设计了级间匹配,实现高增益.用电子设计自动化(EDA)软件进行电路设计,并对全版图进行电磁场仿真.测试结果表明,当漏压为+5 V、栅压为-2.3 V时,放大器的静态电流为100 mA.在88~98GHz频带内,放大器小信号增益大于22 dB,噪声系数小于4.6 dB,输入电压驻波比(VSWR)小于1.
由马铃薯粉痂病菌Spongospora subterranea引起的粉痂病已成为甘肃省马铃薯生产上的重要病害之一,发生面积及危害程度均呈逐年增加的趋势,严重威胁马铃薯产业的健康可持续发展.研究马铃薯不同品种对粉痂菌的抗性并筛选高效防治药剂,是控制该病扩散蔓延最为直接和有效的手段,对马铃薯粉痂病的综合治理具有重要意义.本试验对甘肃省马铃薯主栽品种对粉痂病抗病性及田间防治药剂开展了系统研究,抗病性测定结果表明:22个品种块茎上均可感染粉痂病,发病率为25.00%~100.00%,病情指数为6.67~68.33
采用原子层沉积(ALD)技术,以四(乙基甲基胺基)铪(TEMAHf)和去离子水为前驱体,沉积温度分别为150、200、250和300℃时,在单面抛光硅片和石英玻璃衬底上制备了HfO2薄膜,并对薄膜进行了表征,研究了沉积温度对HfO2薄膜结构和力学、光学及电学性能的影响.结果表明,当沉积温度低于200℃时,制备的HfO2薄膜为非晶态,在300℃时制备的薄膜结晶度最高;随沉积温度的升高HfO2薄膜厚度减小,表面粗糙度呈现先递增后下降的趋势,硬度和弹性模量均有所下降,残余应力不断增加,折射率略有增加,击穿电压先
针对燃煤机组深度调峰过程中低负荷下脱硝系统的投运问题,以某630 MW超临界机组为研究对象,提出5种全负荷脱硝改造方案并从改造效果、安全可靠性、工程投资及复杂性、经济性等方面进行分析比较,最终确认采用省煤器给水置换的改造方案.为同类型机组全负荷脱硝的技术路径的选型提供借鉴.
针对我国黄淮海冬麦部分区域恶性杂草阿拉伯婆婆纳,开展了田间茎叶处理除草剂筛选试验,并比较了不同施药时期防效的差异.结果表明,防除阿拉伯婆婆纳,越冬前施用除草剂的防效优于返青期施药,可选择10%苯磺隆可湿性粉剂27.00 g/hm2,或56%2甲4氯钠可溶粉剂1 260.00 g/hm2,或40%唑草酮水分散粒剂36.00 g/hm2,或25%辛酰溴苯腈乳油562.50 g/hm2,或4%啶磺草胺可分散油悬浮剂16.90 g/hm2于2叶期左右进行茎叶喷雾,除草彻底,持效期长,药后150 d防效仍接近100
安全阀作为电站锅炉的重要安全附件,对保障锅炉安全运行起着重要作用.针对我市某自备电厂安全阀接管焊缝开裂失效,通过现场检验分析、实验分析及结构、焊接、热处理因素分析,得出应力、焊前预热、焊后消应处理不规范是导致开裂的原因,对发现的裂纹制定了修理工艺并提出了整改建议,为电厂解决此类问题提供一定的技术依据.
本文简要介绍了新型玻璃窑余热锅炉的技术特点,主要包括脱硝温度调节系统、各受热面结构优化和一些保护措施.该余热利用系统能更高效、安全运行,使锅炉本体经济性进一步提高.最后对锅炉炉型进一步的优化提出了一些技术建议.
为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温度、时间和气体进行氮退火,制备了 n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET).对制备的DIMOSFET在结温25℃和175℃下进行了阈值电压和漏源电流的测试,并结合仿真探讨了 SiC/SiO2界面陷阱分布对25℃和175℃结温下阈值电压的影响以及沟道迁移率和库仑散射温度指数对漏源电流的影响.实验和仿真结果表明,随着NO退火温度的降低,漏源电流的温度系数由负转正,且
某生活垃圾焚烧发电工程规模为3×700t/d,采用循环流化床方式焚烧垃圾,项目2009年投运,运行稳定.但近年来,随着国民经济的发展和人民生活水平的提高,入炉垃圾热值发生了变化,另外由于国家环保政策的调整,加之锅炉各部件的老化,锅炉运行出现挂焦、积灰、垃圾处理能力不足、排烟温度高、排放不稳现象.针对这些问题,进行了多部件的设计改造,改造后锅炉运行稳定,排放达标,获得了良好的经济效益.
采用宏观形貌观察、垢样化学分析、力学性能检测、金相组织检测等手段对电厂水冷壁管泄漏原因进行分析.检测结果显示,腐蚀垢样主要成分为Fe2O3,腐蚀边缘处金相组织存在脱碳现象,且出现明显的晶间裂纹,而远离腐蚀区域,基体金相组织未见异常,力学性能符合标准要求.水冷壁管失效的主要原因是发生氢腐蚀,氢腐蚀在水冷内壁引发减薄造成泄漏,泄漏的介质进而对相邻的管壁外壁造成吹损减薄,导致相邻数根水冷壁泄漏.