【摘 要】
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基于局域密度泛函理论,结合赝势方法,研究了ZrV2-H体系的结构及其能量性质.研究结果表明,H原子填入ZrV2晶胞中的2Zr2V四面体间隙所形成的氢化物最稳定,填入1Zr3V四面体间隙所
【机 构】
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中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川省技术监督学校
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基于局域密度泛函理论,结合赝势方法,研究了ZrV2-H体系的结构及其能量性质.研究结果表明,H原子填入ZrV2晶胞中的2Zr2V四面体间隙所形成的氢化物最稳定,填入1Zr3V四面体间隙所形成氢化物的稳定性次之,填入4V四面体间隙所形成氢化物的稳定性最差;吸H前后ZrV2合金晶体结构类型不变;随含H量增大,晶格常数增大;当H/ZrV2小于2.0时,ZrV2的氢化物应具有较强的抗粉化能力H在ZrV2合金中的固溶度小,p-C坪台长,室温平衡压低,有利于贮存氢同位素.
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