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对64K CMOS随机存储器6264进行了＂强光一号＂长脉冲辐射状态和短脉冲辐射状态下的辐照实验,测量了存储器翻转效应,分析了不同脉冲宽度下效应的差异,绘制了存储单元的翻转位图,研究了6264的辐射损伤模式。对于6264,其存储单元的翻转主要由内部路轨塌陷引起。
64K CMOS随机存储器瞬时辐射损伤模式分析
【摘 要】
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对64K CMOS随机存储器6264进行了＂强光一号＂长脉冲辐射状态和短脉冲辐射状态下的辐照实验,测量了存储器翻转效应,分析了不同脉冲宽度下效应的差异,绘制了存储单元的翻转位图,研
【机 构】
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西北核技术研究所
【出 处】
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原子能科学技术
【发表日期】
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2010年1期
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