RTA处理时Si中B离子注入的扩散模拟：B增强扩散时扩散缺陷形成与退火的关系

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【摘要】

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ＲＴＡ处理时Ｓｉ中Ｂ离子注入的扩散模拟：Ｂ增强扩散时扩散缺陷形成与退火的关系＝Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｉｏｎｉｍｐｌａｎｔｅｄｂｏｒｏｎｉｎｓｉｌｉ－ｃｏｎｄｕｒｉｎｇＲＴＡ：ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎｏｆｅｘｔｅｎｄｅｄｄｅｆｅｃｔｆｏｒ... Diffusion simulation of diffusion of B ions into Si during RTA treatment: Diffusion mode deioni

【出处】

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微电子学

【发表日期】

：

1994年03期

【关键词】

：

缺陷形成离子注入 RTA Si 快速热退火多区模型精确模型注入剂量掺杂剂扩散过程

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