论文部分内容阅读
MRAM（Magnetic RandomAccess Memory）是一种非挥发性的磁性随机存储器。这是一种创新的存储器技术,它与传统的DRAM、SRAM的工作原理完全不同。它采用两块纳米级铁磁体,在界面上用一个非磁金属层或绝缘层来夹持一个金属导体的结构。通过改变两块铁磁体的方向,下面的导体的磁致电阻（magnetoresistance）就会发生变化。电阻一旦变大,通过它的电流就会变小,反之亦然。