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极紫外光刻（EUVL）是半导体工业实现32～16nm技术节点的候选技术，而极紫外曝光光学系统是EUVL的核心部件，它主要由照明系统和微缩投影物镜组成。本文介绍了国内外现有的EUVL实验样机及其系统参数特性；总结了EUVL光学系统设计原则，分别综述了EUVL投影光学系统和照明光学系统的设计要求；描述了EUVL投影曝光系统及照明系统的设计方法；重点讨论了适用于22nm节点的EUVL非球面六镜投影光学系统，指出了改善EUVL照明均匀性的方法。