论文部分内容阅读
ＢａＴｉＯ３的禁带宽度为３ｅＶ，在室温下的体积电阻率约为１０１２Ω·ｃｍ，通过施主掺杂，可获得室温体积电阻率为１０２～１０５Ω·ｃｍ或更低的ｎ型ＢａＴｉＯ３半导体材料。笔者进行了在ＢａＴｉＯ３中掺Ｌａ材料的制备，并探讨了其半导化的形成机制。材料的制备工艺是采用固相反应法，所用原料Ｌａ２Ｏ３为光谱纯，ＢａＣＯ３、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２和Ａｌ２Ｏ３为分析纯，材料配方组分为：ＢａＴｉＯ３＋ｘＬａ２Ｏ３＋１．０ｗｔ％ＡＳＴ（１／３Ａｌ２Ｏ３·３／４ＳｉＯ２·１／４ＴｉＯ２），ｘ＝０．０～０．００５，经配料、研磨、烘干，１１００～１１５０℃下２ｈ合成，二次球磨，采用ＰＶＡ结合剂造粒，在１００ＭＰａ压力下成型，并以适当的升、降温速率在１３００～１３５０℃／１ｈ烧结后，所得瓷片，经两面研磨、涂覆Ｉｎ－Ｇａ电极，进行电性能测试。从测试结果可明显看出Ｌａ掺杂浓度对ＢａＴｉＯ３的体积电阻率影响很大，开始时，随着Ｌａ的加入量增加，ＢａＴｉＯ３的电阻率逐渐降低，当加入量在０．２ｍｏｌ％附近时，电阻率达到最低值；尔后，随着Ｌａ的增加，其电阻率逐渐升高；当Ｌａ的加入量超过０．３５ｍｏｌ％后，随着Ｌａ的增加，电阻率升高速率加快。随着Ｌａ的含?