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本文介绍了我们开发的ＦＥＤ工艺，包括；硅锥场致发射阵列的制作，栅极制作，阳极支柱的制作和平板透明真空封装，对工艺中的难点及对策作了详细描述。利用上述工艺，已经制成了平板数码管，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性产伴有荧光激发。
FED制作工艺研究
【摘 要】
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本文介绍了我们开发的ＦＥＤ工艺，包括；硅锥场致发射阵列的制作，栅极制作，阳极支柱的制作和平板透明真空封装，对工艺中的难点及对策作了详细描述。利用上述工艺，已经制成了平板数码管，其栅
【机 构】
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西安交通大学真空微电子与微电子机械研究所
【出 处】
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光电子技术
【发表日期】
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1996年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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