强磁场下Sn-3Ag-0.5Cu/Cu界面金属间化合物生长行为

来源 :大连理工大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cyw87325

【摘要】

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研究了3T和8T强磁场作用下Sn-3Ag-0．5Cu／Cu焊接接头界面金属问化合物在170℃时效过程中的生长行为．结果表明：强磁场作用下界面金属问化合物层的厚度随着时效时间的延长而增加，且呈

【作者】

：

赵杰朱凤尹德国王来

【机构】

：

大连理工大学材料科学与工程学院

【出处】

：

大连理工大学学报

【发表日期】

：

2006年2期

【关键词】

：

金属间化合物层强磁场抛物线规律生长速率

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目(50471068)

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研究了3T和8T强磁场作用下Sn-3Ag-0．5Cu／Cu焊接接头界面金属问化合物在170℃时效过程中的生长行为．结果表明：强磁场作用下界面金属问化合物层的厚度随着时效时间的延长而增加，且呈抛物线规律；随着磁场强度的增大，Sn-3Ag-0．5Cu／Cu界面金属闸化合物的生长速度加快．分析认为强磁场的存在加快了原子的运动，提高了原子的扩散系数，从而加快了界面金属间化合物层的生长速度．

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