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通过求解扩散方程，推导了含有后界面复合速率的反射式GaAs光电阴极量子效率公式，并利用MBE在GaAS（100）衬底上外延生长了发射层厚度分别为1．6μm、2．0μm和2．6μm，掺杂浓度为1×10^19cm^-3的三个反射式GaAs阴极样品，进行了激活实验．实验结果显示：随着发射层厚度的增加，阴极的长波量子效率和灵敏度都有所提高，而这种提高与阴极电子扩散长度的增长有关．同时，理论仿真研究发现．当后界面复合速率小于或等于10^8cm／s时，阴极发射层有一个最佳厚度，此时阴极灵敏度最高．后界面复合